делокализованным.
1 2 4 8 N
Число атомов
Рис. 1. Схема образования энергетических уровней МО
при увеличении числа взаимодействующих атомов
атомов, из исходных s-АО внешней электронной оболочки образуется энергетическая зона, содержащая N уровней (рис. 2). В этой зоне размещаются N внешних s-электронов атомов щелочного элемента, которые занимают N/2 энергетических уровня (по 2 на каждом уровне). Совокупность этих занятых валентными электронами уровней называется валентной зоной. В рассматриваемом случае валентная зона занимает лишь половину имеющихся энергетических уровней. Остальные уровни остаются незаполненными, образуя зону проводимости (рис. 2).
-АО внешних энергетических уровней атомов также образуется зона, состоящая из N уровней. Но, поскольку здесь каждый атом обладает двумя внешними s-электронами, то в этой зоне должно разместиться 2 N электронов, так что все ее уровни окажутся полностью занятыми. Однако при взаимодействии атомов металла перекрываются не только внешние s-орбитали, но и внешние p-орбитали. В результате также образуется непрерывная энергетическая зона, незаполненная электронами. При этом зоны, образованные s- и p-орбиталями, перекрываются (рис. 3), так что и в этом случае зона проводимости, содержащая свободные энергетические уровни, непосредственно примыкает к валентной зоне.
 | |||
 | |||
| Рис. 2. Схема заполнения электронами энергетических уровней в кристалле щелочного металла: 2 – занятые уровни (валентная зона) | Рис. 3. Схема заполнения электронами энергетических уровней в кристалле элемента главной подгруппы второй группы: 1 – зона проводимости, образованная из исходных внешних 2 – валентная зона, образованная из исходных внешних s-орбита-лей |
На рис. 2 и 3 изображена граница между валентной зоной
и зоной проводимости. В действительности эта граница размыта; вследствие теплового движения электроны могут переходить
с верхних уровней валентной зоны на нижние уровни зоны проводимости.
Ваша оценка?
